为了实现它，制作超薄膜是必不可少的，但存在随着薄膜变薄而劣化的问题。当施加电压时存储器的状态会发生变化，并且信息由一种物质保持，即使在电压关闭时也能保持该状态。铁电体通过施加使物质中离子分布偏置的电压来实现这一点。据说与传统内存相比，它可以实现高性能和低功耗。另一方面，仍然存在问题，生产质量特别稳定的薄膜状晶体是必不可少的。

　我们关注的是氧化铪，一种铁电物质，它具有反向尺寸效应的特性，其特性随着尺寸的减小而提高。另一方面，生产稳定晶体的困难是一个瓶颈。课题组首先重新审视了晶体中所含元素的组成。此外，通过设计晶体生长的基底结构，我们成功生产出厚度为 15 纳米（百万分之一毫米）且质量稳定的晶体。

　据说，通过使用这种铁电薄膜，可以实现比传统存储器更大容量、更低功耗和更高速度的存储器。如果在智能手机和笔记本电脑上实施，我们将能够直接受益。此外，反向尺寸效应的机制尚未阐明，这次创造的晶体可能是其阐明的线索。如果能够澄清，新物质的开发将进一步加快。

资料来源：[东北大学] 世界首创铁电体超薄单晶薄膜的制作——实现具有超高密度新型存储器的可长时间使用的智能手机的方法——