国立材料科学研究所 (NIMS) 和东京理科大学的一个研究小组开发了一种元件,可以用比传统自旋电子学元件更低的电流控制自旋。它有望成为导致存储介质的低功耗和高密度的技术。

 无处不在的电子产品,包括计算机和智能手机,都是利用电子“电荷”特性的技术。另一方面,正在积极研究利用电子的另一特性“自旋”的称为自旋电子学的新技术领域。如果投入实际使用,预计将可以实现几乎不消耗能量和高密度存储介质的信息通信。另一方面,在物质中自由操纵电子自旋的技术正在开发中,迫切需要开发能够做到这一点的设备。已经开发出来的都是液体,所以存在漏液的问题,很难投入实际使用。

 该小组开发了一种可以通过堆叠三种固体物质(氧化铁、硅酸锂和钴酸锂)来控制自旋的元素。通过施加电压,硅酸锂中的锂离子可以在氧化铁内部移动。这使得控制氧化铁中电子的自旋成为可能。与传统设备相比,它具有能够以低功耗控制自旋的优势。此外,由于它仅由固体组成,因此无需担心液体泄漏。另外,由于其结构简单,应用现有的半导体衬底加工技术,很容易实现高集成度。

 成为计算机内存等产品还需要一段时间,但这将是向前迈出的一大步。今后,将在此成果的基础上,进行高集成化技术开发等实用化示范实验。

大学学报在线编辑部

这是大学学报的在线编辑部。
文章由对大学和教育具有高水平知识和兴趣的编辑人员撰写。
关于文章内容等的咨询和意见。的信息。谢谢。