东京大学的研究人员表示，他们通过向嵌入半导体中的铁磁纳米颗粒照射超短太赫兹脉冲光，成功获得了约20%饱和磁化强度（磁化强度最大值）的巨大磁化强度调制。
超短太赫兹脉冲光的脉冲宽度极短，为皮秒（一万亿分之一秒），因此当照射到铁磁材料上时，磁化强度响应脉冲波形而不受磁摩擦的影响，已知信号可以进行高速调制。如果应用这项技术，预计磁化可以在皮秒级别上非常快速地反转，从而可以创建运行速度比当前存储设备快约1倍的存储设备。在研究中，磁化调制的幅度保持不变约为饱和磁化强度的1%或更小。
在之前的研究中，该研究小组发现，通过使用基于半导体的特殊铁磁材料，不仅光的磁场分量，而且电场分量都可以显着促进磁化调制。为此，我们决定使用将铁磁纳米颗粒嵌入半导体中的样品，当我们观察样品受到超短太赫兹脉冲光照射时磁化强度的变化时，我们发现磁化强度调制量为20%此外，他们还实现了大磁化强度调制，大约是之前研究的 20 倍。
当今高度信息化社会的存储设备由半导体组成，但大多数都是易失性的，这意味着断电后数据就会丢失。另一方面，铁磁材料的磁化是非易失性的，因此通过利用磁化方向存储信息，可以创建即使电源关闭数据也不会消失的存储器件。
这一结果有望实现利用皮秒磁化反转的超高速非易失性存储器。
