随着智能手机的普及和大数据带来的信息处理量的爆炸式增长，信息设备的功耗成为问题，需要低功耗、高记录密度的下一代存储设备, 和非挥发性的特性。它正在增加。从这个角度来看，兼具磁性和铁电性的多铁性材料正在引起人们的关注。如果磁性和铁电性之间的相关性足够强，并且可以通过电场反转磁化方向，则可以在利用磁性的电流特性的同时实现低功耗、高记录密度和高稳定性的简单元件结构。非易失性和高稳定性等存储器，据说可以实现其拥有的下一代磁存储器。

　这一次，研究小组成功地以能够评估铁电性的薄膜形式稳定了钴铁酸铋，其中铁被钴部分取代。作为介电特性评价的结果，确认薄膜材料在室温下是铁电物质。此外，通过设计薄膜的生长方向，明确了磁铁的特性根据温度而变化，在低温下消失的磁铁的特性在室温下出现。它还具有储存电力的特性。

　该结果是铁磁性和铁电性在室温下共存的实验证明，这是实现新型磁记忆的关键，铁铁钴酸铋铋薄膜。由于铁磁性和铁电性之间的相关性已经得到证实，因此有望基于新原理开发出具有低功耗、高速访问和大容量的下一代磁存储器。