千叶大学 Nobuyuki Aoki 副教授是通过简单地用扫描电子显微镜用电子束照射二硫化钼 (MoS2)，即一种原子层材料，决定半导体性质的最重要数值之一（ SEM).他宣布，他在世界上首次发现了一定带隙变大的现象，并发现半导体的性质可以很容易地控制。 与纽约州立大学布法罗大学 JP Bird 教授和莱斯大学 R. Vajtai 教授合作研究。
当前由硅制成的大规模集成电路 (LSI) 通过使晶体管更小并提高集成度来提高其性能。然而，该方法正在接近其极限，代替硅，由石墨烯和二硫化钼等原子层材料制成的一个原子层制成的晶体管正在引起人们的注意。另一方面，决定半导体性能的重要特性带隙值对于每种物质都是固定的，不能用传统材料改变。
这一次，研究小组发现，在由单层二硫化钼单晶制成的晶体管中，存在着不同特性的部分。当我们结合使用扫描探针显微镜进行分析时，发现不同性质的部分带隙变宽，不同性质的边界影响晶体管的工作方式。..进一步的验证表明，变化的原因是材料制备过程中使用的电子束光刻中使用的电子束照射。由此可知，通过使用SEM等简单的装置用电子束照射原子层材料，能够容易地控制带隙。
未来，通过与带隙控制相结合，预计不仅可以实现计算机和存储器，还可以实现仅使用原子层材料即可实现 LED 和激光器等各种电子产品。
