TMC效应是当磁性层的磁化强度（作为磁铁的特性方向）在两个磁性层（磁性层）之间夹有薄绝缘层的结中彼此平行时的电容（电容）。反并联时，蓄电量变“大”“小”的现象。这一次，课题组通过铁和氧化铁的结合，挑战了前所未有的结结构的发展，以及相反的现象，即当磁性层的磁化平行时，电容“小”，而当它反平行。成功体现了“增长”现象。

　此外，结合量子力学的电荷存储理论已经阐明了这种机制，根据理论计算，在使用氮化铁和钴铁硼合金的结构中获得了这次的电容变化率（iTMC比）。据说它比铁的价值大10倍左右。

　如果以本研究成果为起点，广泛展开对iTMC效应的研究，随着iTMC比的提高，将开辟高灵敏度、低功耗磁传感器和存储器的诞生之路。 .未来有望应用于磁卡读卡器、GPS等位置检测传感器元件，以及安装在个人电脑和智能手机上的非易失性存储器。

论文信息：[科学报告]：Fe / Al-oxide / Fe3O4 中的反向隧道磁电容