京都大学、东京理科大学等的研究小组已经阐明了在单层过渡金属二硫属化物中丢失被称为“谷”的电子波状态信息的机制，这些信息有望作为未来光电器件的材料。
当圆偏振光应用于单层过渡金属dalcogenide时，可以产生两种顺时针或逆时针旋转的激子。使用这个像能量谷一样的激子谷，对应数字信息处理的2和0的概念被称为“光电子学”，近年来有人说高速节能的光电器件可以实现，正在引起全世界的关注。
为了实现光谷电子学，需要在足够长的时间内保持谷的状态，但实际上它在很短的时间内丢失，机理不明，这是一个需要解决的大问题。场地。
本研究以典型的过渡金属二硫属化物钨二烯作为模型，在低温条件下随着温度的升高，谷态的保留时间变短，这些特性主要是激子的重心。我们已经确定了一种取决于掺杂电子的动量和密度的机制。然后，基于对这种机制的理解，当创建一种结构，其中激子的动量和掺杂电子的密度被控制在延长谷态保留时间的方向上时，就可以如预期的那样增强它……
该结果阐明了激子的谷态丢失的机制，并在一定程度上为控制谷态提供了材料工程指导，有望实现。
