支持当今高度信息化社会的电子设备。近年来，作为这些电子设备的故障原因之一，被称为软错误的现象已受到关注。
软错误是电子设备暴露于辐射（宇宙射线）时发生的瞬时故障或故障。宇宙射线是不断落在地面上的自然辐射，其主要成分是不可见的中子和介子。随着半导体器件越来越精细、功耗越来越低，抗辐射能力不断下降，可能会出现宇宙射线μ介子和宇宙射线中子引起的软误差，这一直是人们关注的问题并已采取对策。性开始被指出。
μ子中有正μ子和负μ子之分，虽然有正μ子辐照实验结果的报道，但还没有负μ子辐照试验的报道，强烈希望对这些进行实验验证。
此次由九州大学、大阪大学、材料结构科学研究所、高能加速器研究机构、J-PARC中心等组成的联合研究团队，在J-PARC Material and Life中使用Muon实验装置MUSE生成科学实验设施。进行实验，用世界上最高的正负μ子束照射半导体器件。结果发现，由于负μ子被原子核捕获并产生二次离子，因此记忆信息位反转的概率比正μ子高约四倍。 μ子的影响很大。
未来，研究团队将进一步阐明宇宙射线μ介子引起的软误差产生机制，并将其应用于下一代半导体器件的设计等，在自动驾驶领域打造安全可靠的半导体技术。汽车和物联网。它旨在为。
