物联网、大数据、云时代，对大容量存储的需求有望增加，但有人指出，记录密度的极限将很快达到。
广岛大学科学研究科的研究小组在世界上首次成功开发出一种在室温下表现出铁电性（记忆效应）的分子。铁电一般不是在单个分子中表现出来的，但是世界上第一个演示了即使在单个分子中也表现出铁电性的“单分子衍生物”（Single Molecule Electret，SME）。它将会完成。通过将本研究中开发的“SME”作为存储器实施，与目前用于 HDD 等的铁磁存储器的记录密度相比，可以将记录密度提高 1000 倍以上，因此将对其进行访问在不久的将来，可以说这是一个重要的发现，可以突破原本应该达到的记录密度极限。
铁电体是指即使没有电场（自发电极）也能对齐极化，并且极化方向被电场反转的物质。通过使这种自发极化的方向对应于0和1，它可以用作信息记录材料。
在这项研究中，一种推翻铁电体理论的新机制，使铁电体特有的自发极化和极化滞后（记忆效应）在原本被认为没有铁电性的单个分子中表现出来，我成功地做到了。该分子是含有铽离子的笼状无机分子“Pleyssler型多金属氧酸盐”，其表达机理不同于基于常规铁电理论的一般铁电体。换句话说，它是一组新的物质，不受基于传统理论计算的记录密度的物理限制，具有显着改变未来信息社会的潜力。
纸张信息：[Angewandte Chemie International Edition] 室温以上的巨型迟滞单分子极化切换
