理化学研究所和东京大学的研究团队在世界上首次发现了一种新方法，只需推动物质即可产生和消除微小的磁涡流。这种磁涡流作为一种新的信息载体备受关注，我们在实现超节能磁存储设备方面取得了长足的进步。
物质中几纳米（1纳米=0.000000001米）到几百纳米的磁涡流被称为斯格明子，作为下一代磁存储设备中的信息载体正在引起人们的关注。一旦生成，将继续稳定存在（内存保留），理论上认为可以高速自由生成和擦除（重写）。然而，为了开发这样一种新的存储设备，需要建立实际产生和控制斯格明子的技术。
迄今为止，主要研究利用电流、磁力和热量的方法来尝试产生斯格明子，但研究小组试图通过施加压力来产生和消除斯格明子。当我们在改变施加在锰和硅合金上的外力的同时研究磁性时，我们发现通过施加大约 100 / 1 克的小力可以很容易地产生和消灭斯格明子。我做到了。通过应用已经建立的扫描显微镜技术，可以轻松控制 Skyrmions。
以相对简单的方式控制斯格明子的能力是离实现下一代存储设备又近了一大步。此外，从未来阐明物质性质的角度来看，预计容易产生斯格明子的能力将有助于加速研究。
