由东京大学副教授 Satoshi Nakatsuji 领导的研究小组通过对由铌和铱制成的磁性材料施加弱磁场,成功地从绝缘体变为金属。使用这种技术可以实现新的存储设备和磁传感器。

 普通物质不会因温度或磁场的变化而变成从绝缘体导电的类金属状态。这种现象已经在一些物质中得到证实,但为此需要加热到高温以改变内部原子的排列,这需要大量的时间和能量。另一方面,在本研究中,当对由稀土元素铌、过渡金属元素铱和氧构成的物质施加磁场时,磁场会影响电子在其内部的运动。来自绝缘体的原子。我发现它变成了金属。

 这证明了稀土和过渡金属的结合,使得通过磁场从绝缘体变为金属成为可能,这在以前被认为是不可能的。与传统的加热到高温的方法相比,磁场可以以非常高的速度和更少的能量打开和关闭。预计这可用于创建记录数字信息“0”和“1”的存储器以及通过检测磁场来发送电信号的磁传感器。

 除了工业应用的可能性之外,实现以前认为不可能的东西的影响是巨大的。固体的性质是国内外大量研究集中的领域。对已知化合物无法实现的现象的研究将继续进行。

东京大学

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东京大学成立于1877年(明治10年),由东京开成学校和东京医学院合并而成。自成立以来,它作为日本领先的大学和东西方文化融合的学术中心,以世界上独特的方式发展了教育和研究。因此,在广泛的领域产生了许多人力资源,许多研究成果 […]

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