筑波大学等联合开发研究团队开发了世界上第一个能够进行 1 微米（1000/1 毫米）或更小的超高精度位置测量的辐射测量传感器。该传感器使用称为“SOI（绝缘体上硅）”的半导体技术，与传统的硅半导体传感器相比，位置测量精度高出一个数量级。
在使用加速器的基本粒子实验中，准确观察“基本粒子反应发生的位置”很重要。下一代检测器“SOI像素传感器”的开发和研究始于2005年，旨在显着提高位置测量精度，与传统辐射检测器相比，位置测量精度只有几微米。在国际会议上公布了使用开发的传感器的辐射探测器的性能评估结果。
研究小组开发的“SOI像素传感器”是一种通过将具有SOI结构（在绝缘膜上形成集成电路的结构）的传感器排列成网格状来测量基本粒子通过位置的装置。 通过优化用于像素型辐射检测的SOI衬底下方硅层的厚度，并与信号处理集成电路集成，我们实现了具有高辐射检测效率的超精细像素传感器。
已经证实，这种有望在未来基本粒子和核实验中发挥积极作用的传感器的性能即使在高辐射剂量下也不会恶化。由于它还可以用作高性能X射线图像探测器，因此有望广泛应用于医学和工业领域以及X射线天文学等基础科学和使用同步辐射的材料生命科学实验设备.
